A Intel anunciou neste sábado (27/01) que está se preparando para a fabricação de chips de 45 nm, a qual deverá se iniciar já no segundo semestre desse ano.

Segundo esse anúncio, a peça chave que viabilizou essa revolução foi o uso de um novo material à base de Háfnio (Hf) e um elemento metálico no lugar do Silício Policristalino (Polysilicon) e do Óxido de Silício (SiO2), a matéria-prima usada nas portas dos transístores que formam qualquer circuito integrado.

As pesquisas da Intel com esses novos materiais — descritos na época como “secret sauce” (molho secreto) — já são notícia desde 2003, sendo que o primeiro chip experimental de 45 nm foi mostrado no início de 2006.

A grande novidade, entretanto, é a revelação que a empresa já prepara três fábricas para produzir em 45nm e duas delas entram em funcionamento no segundo semestre deste ano. São elas: D1D, no estado de Oregon (onde o processo foi desenvolvido) e FAB 32, no estado do Arizona (ambos nos EUA). A terceira será a FAB 28, em Israel, que deve começar a produzir no início de 2008.

Elas deverão ser as responsáveis pela nova geração de processadores Xeon, Core 2 Duo e Quad codinome Penryn (nome de um rio na Inglaterra), o qual é voltado para servidores, workstations, desktops e até notebooks. A versão dual core (dois núcleos) terá 410 milhões de transistores, enquanto que o quad core (quatro núcleos) 820 milhões.

A Intel afirma que o Penryn já está totalmente funcional, sendo que as primeiras amostras do chip já rodam Windows XP, Mac OS X, Linux e até mesmo Windows Vista em seus laboratórios.

Com esse anúncio, a Intel confirma a sua estratégia de se manter a um passo adiante da concorrência e cumpre a promessa de introduzir uma nova microarquitetura a cada dois anos.
A empresa de Santa Clara declarou que não irá divulgar, por enquanto, uma descrição mais exata do seu “molho secreto”, já que existem centenas de variações desses novos materiais e que foi uma combinação em especial que produziu todos esses bons resultados.

Os pesquisadores da Intel estão tão otimistas com sua descoberta que não acreditam que a concorrência consiga igualar sua façanha antes da chegada do processo de 32 nm (previsto para 2009).

Entenda o que muda com a tecnologia de 45nm:

O uso desses novos materiais nas portas dos transístores resolveu um sério problema relacionado com o vazamento de corrente causado pela diminuição de escala. Ou seja, ao ficar menor, com o processo de 45 nm, o transistor perdeu eficiência. Com isso, o índice de vazamento caiu em mais de 10 vezes, além de melhorar o seu desempenho em mais de 20%.

Outro ponto do novo processo é que, se comparado com o atual processo de 65 nm, o de 45 nm aumenta-se em quase duas vezes a densidade de transístores na mesma base de Silício. Isso permitirá o desenvolvimento de chips menores ou até de mesmo tamanho, porém com o dobro de componentes.

Graças ao processo de 45 nm, os Penryn terão caches maiores, poderão trabalhar com clocks mais elevados sem comprometer seu consumo de energia e serão os primeiros a contar com o novo set de instruções SSE4 que irão melhorar o desempenho de aplicações multimidia e de computação de alto desempenho (HPC).

Fonte: IDG Now!